最近の展望 大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 安武 潔垣内 弘章大参 宏昌
- 並列タイトル等
- Recent developments: Low-temperature and high-rate growth of epitaxial silicon by atmospheric-pressure plasma chemical vapor deposition
- タイトル（掲載誌）
- 応用物理
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 76(9) 2007.9
- 掲載巻
- 76
- 掲載号
- 9
- 掲載ページ
- 1031～1036