低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価 (シリコン材料・デバイス)

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低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9489182
資料種別
記事
著者
曽根川 富博ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2008-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(1) 2008.4.11・12
掲載ページ
p.41~46
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
曽根川 富博
上原 和浩
前濱 剛廣
シリーズタイトル
並列タイトル等
Preparation and characterization of thermal oxidization anodized Si with a low-k dielectric constant
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
108(1) 2008.4.11・12
掲載巻
108
掲載号
1