マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 (電子デバイス)

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マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9527561
資料種別
記事
著者
松下 由憲ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2008-05
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(34) 2008.5.15・16
掲載ページ
p.95~100
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
松下 由憲
加藤 正史
市村 正也 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Characterization of epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
108(34) 2008.5.15・16
掲載巻
108
掲載号
34