GaAsのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性(第2報)押込み加工における結晶方位依存性

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GaAsのスクラッチ加工におけるクラック発生機構の結晶方位依存性(第2報)押込み加工における結晶方位依存性

国立国会図書館請求記号
Z16-1147
国立国会図書館書誌ID
9570897
資料種別
記事
著者
森田 昇ほか
出版者
東京 : 砥粒加工学会
出版年
2008-07
資料形態
掲載誌名
Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology 52(7) (通号 311) 2008.7
掲載ページ
p.406~411
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
森田 昇
川堰 宣隆
田代 雄介
並列タイトル等
Dependence of crack generation process on crystal orientation in scratching of gallium arsenide (2nd report) Dependence of crack generation on crystal orientation in indentation test
タイトル(掲載誌)
Abrasive technology : 砥粒加工学会誌 : journal of the Japan Society for Abrasive Technology
巻号年月日等(掲載誌)
52(7) (通号 311) 2008.7
掲載巻
52
掲載号
7
掲載通号
311