博士論文
書影書影

Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy

博士論文を表すアイコン
表紙は所蔵館によって異なることがあります ヘルプページへのリンク

Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy

国立国会図書館請求記号
UT51-90-R186
国立国会図書館書誌ID
000000233910
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/11439128
資料種別
博士論文
著者
小林規矩男 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,工学博士
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

博士論文

書店で探す

障害者向け資料で読む

障害者向け資料で読む

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
小林規矩男 [著]
著者標目
小林, 規矩男 コバヤシ, キクオ
並列タイトル等
MBE法により作製された高濃度ドープGaAs/AIAs超格子膜に関する研究 MBEホウ ニ ヨリ サクセイサレタ コウノウド ドープ GaAs
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成1年6月30日
授与年月日(W3CDTF)
1989
報告番号
乙第1949号
学位
工学博士