CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合
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目次
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緒言
p1
本論文の目的
p1
本論文の構成
p3
第1部 Poly-SiのCVDプロセス
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- CVDホウ ニ オケル キソウ プロセス ト ヒョウメン セイマク プロセス : Si , SiC , WSix , TiO2 セイセイ ノ バアイ
- 著者・編者
- 霜垣幸浩 [著]
- 著者標目
- 霜垣, 幸浩 シモガキ, ユキヒロ
- 授与機関名
- 東京大学
- 授与年月日
- 平成3年3月15日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1991
- 報告番号
- 甲第8838号
- 学位
- 工学博士