InP化合物半導体中のエルビウムイオンの電子衝突励起とその発光過程
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目次
Luminescence of erbium ions doped in InP by electron impact excitation and the energy transfer mechanism
p3
目次
p5
1 序論
p10
1.1 半導体光デバイスと希土類イオン
p10
1.2 希土類添加III-V族半導体
p16
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- InP カゴウブツ ハンドウタイチュウ ノ エルビウム イオン ノ デンシ ショウトツ レイキ ト ソノ ハッコウ カテイ
- 著者・編者
- 一色秀夫 [著]
- 授与機関名
- 電気通信大学
- 授与年月日
- 平成4年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 博甲第11号
- 学位
- 工学博士