Investigation on the initial growth process and interface formation of Si-GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
論文要旨
p2
CONTENTS
p6
Chapter1.Introduction.
p1
1.1 GaAs and Si:two of the most important semiconductors
p1
1.2 Applications of the growth of GaAs on Si
p2
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- Lopez Lopez Maximo [著]
- 著者標目
- Lopez Lopez Maximo ロペス ロペス マキシモ
- 並列タイトル等
- 分子線エピタキシーによるSi-GaAsヘテロ構造の初期成長過程と界面形成に関する研究 ブンシセン エピタキシー ニ ヨル Si-GaAs ヘテロ コウゾウ ノ ショキ セイチョウ カテイ ト カイメン ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 豊橋技術科学大学
- 授与年月日
- 平成4年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 甲第63号
- 学位
- 工学博士