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Threshold current density reduction of GaInAsP/InP surface emitting lasers by improving mirror reflectivity

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Threshold current density reduction of GaInAsP/InP surface emitting lasers by improving mirror reflectivity

国立国会図書館請求記号
UT51-92-N111
国立国会図書館書誌ID
000000252723
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3062032
資料種別
博士論文
著者
押切光丈 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京工業大学,工学博士
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目次

  • 論文目録

  • Abstract

  • Chapter 1 Introduction

    p1

  • 1.1 Background

    p1

  • 1.2 Surface Emitting Lasers

    p4

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
押切光丈 [著]
著者標目
押切, 光丈 オシキリ, ミツタケ
並列タイトル等
高反射率化によるGaInAsP/InP面発光レーザのしきい値電流密度の低減 コウハンシャリツカ ニ ヨル GaInAsP
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成4年3月26日
授与年月日(W3CDTF)
1992
報告番号
甲第2475号
学位
工学博士