Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors on silicon
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目次
論文目録
CONTENTS
Chapter1 Introduction
p1
1.1 Introduction to III-V on Si
p1
1.2 Growth of III-V on Si
p2
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 川浪仁志 [著]
- 著者標目
- 川浪, 仁志 カワナミ, ヒトシ
- 並列タイトル等
- シリコン基板上へのⅢ-Ⅴ族化合物半導体のMBE成長初期過程に関する研究 シリコン キバンジョウ エ ノ 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ MBE セイチョウ ショキ カテイ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成4年2月29日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 乙第2312号
- 学位
- 工学博士