Electrical properties of FeSi[2] thin films deposited by rf sputtering
図書館・個人送信サービスを利用する
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者（本登録）の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
Contents
Chapter1.Preface
p1
§1.Purpose of this study
p1
§2.Review of the semiconducting FeSi₂
p1
Chapter2.Experimental Procedure
p7
書店で探す
障害者向け資料で読む
- みなサーチ
- プレーンテキスト
みなサーチに登録・ログインで利用できます
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 駒林正士 [著]
- 著者標目
- 駒林, 正士 コマバヤシ, マサシ
- 並列タイトル等
- スパッター法により作成したFeSi[2]薄膜の電気的性質に関する研究 スパッターホウ ニ ヨリ サクセイシタ FeSi2 ハクマク ノ デンキテキ セイシツ ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 埼玉大学
- 授与年月日
- 平成4年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 甲第4号
- 学位
- 博士 (工学)