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目次
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第一章 序論
p.1
1-1 はじめに
p.2
1-2 バイポーラトランジスタの高速化
p.3
1-3 SiGeHBTの有用性と問題点
p.12
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ヒズミ ホショウ SiGeB / Si ヘテロ コウゾウ ノ デバイス オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 坂野順一 [著]
- 著者標目
- 坂野, 順一 サカノ, ジュンイチ
- 授与機関名
- 東京工業大学
- 授与年月日
- 平成5年3月26日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 1993
- 報告番号
- 甲第2649号
- 学位
- 博士 (工学)