GaAsの単原子層制御エピタキシーとその場計測手法の開発
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p1
第1章 序論
p1
第1-1節 緒言
p1
第1-2節 本研究の背景
p4
1 化合物半導体デバイス
p4
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- GaAs ノ タンゲンシソウ セイギョ エピタキシー ト ソノバ ケイソク シュホウ ノ カイハツ
- 著者・編者
- 杉山直治 [著]
- 著者標目
- 杉山, 直治 スギヤマ, ナオハル
- 授与機関名
- 名古屋大学
- 授与年月日
- 平成5年6月1日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1993
- 報告番号
- 乙第4416号
- 学位
- 博士 (工学)