分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究
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目次
分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究
目次
p1
第1章 序論
p1
§1.1 InP系化合物半導体の特徴とそのデバイスへの応用
p1
§1.2 InP系化合物半導体ヘテロエピタキシーの応用とその研究
p2
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル InPケイ カゴウブツ ハンドウタイ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ショキ カテイ オヨビ カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 丸山裕之 [著]
- 著者標目
- 丸山, 裕之 マルヤマ, ヒロユキ
- 授与機関名
- 豊橋技術科学大学
- 授与年月日
- 平成6年3月23日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1994
- 報告番号
- 甲第100号
- 学位
- 博士 (工学)