(Al, Ga) As quantum wires formed on vicinal GaAs(110) surfaces by molecular beam epitaxy
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目次
Abstract
Contents
1 Introduction
p1
References
p5
2 Experimental
p6
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 武内道一 [著]
- 著者標目
- 武内, 道一 タケウチ, ミサイチ
- 並列タイトル等
- 分子線エピタキシー法で微傾斜GaAs(110)面上に形成した(Al,Ga)As量子細線に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ デ ビケイシャ GaAs(110) メンジョウ ニ ケイセイシタ (Al , Ga) As リョウシ サイセン ニ カンスル ケンキュウ
- 授与機関名
- 大阪大学
- 授与年月日
- 平成8年3月25日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1996
- 報告番号
- 甲第5639号
- 学位
- 博士 (工学)