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Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application

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国立国会図書館デジタルコレクション

Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application

国立国会図書館請求記号
UT51-96-E355
国立国会図書館書誌ID
000000294958
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3110218
資料種別
博士論文
著者
Joachim Hans-Oliver [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
大阪大学,博士 (工学)
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博士論文

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目次

  • Table of Contents

    p1

  • Abstract

    p4

  • Chapter1 General Introduction

    p1

  • 1.1 Device Miniaturization and VLSI Technology Trends

    p1

  • 1.2 Silicon-on-Insulator(SOI)Technology and Applications

    p6

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書誌情報

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紙 デジタル

資料種別
博士論文
タイトル
Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application
著者・編者
Joachim Hans-Oliver [著]
著者標目
Joachim Hans-Oliver ヨアヒム ハンス オリバー
並列タイトル等
VLSI応用のための短チャネルSOI MOSFETとその0.1μmレベルへのスケーリングに関する研究 VLSI オウヨウ ノ タメ ノ タンチャネル SOI MOSFET ト ソノ 0.1マイクロm レベル エ ノ スケーリング ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
大阪大学
授与年月日
平成8年3月5日
授与年月日（W3CDTF）
1996
報告番号
乙第6883号
学位
博士 (工学)