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AlGaAs molecular beam epitaxial growth on (111) A GaAs substrate and device applications

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AlGaAs molecular beam epitaxial growth on (111) A GaAs substrate and device applications

国立国会図書館請求記号
UT51-96-F422
国立国会図書館書誌ID
000000295581
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3110679
資料種別
博士論文
著者
山本悌二 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
京都大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • 目次

    p5

  • 第1章 序論

    p9

  • 1-1 研究動向

    p9

  • 1-2(111)A面GaAs基板への分子線エピタキシャル(MBE)成長の現状と課題

    p10

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
山本悌二 [著]
著者標目
山本, 悌二 ヤマモト, テイジ
並列タイトル等
(111)A面GaAs基板上AlGaAs系分子線エピタキシャル成長とデバイス応用の研究 (111) Aメン GaAs キバンジョウ AlGaAsケイ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ ト デバイス オウヨウ ノ ケンキュウ
授与機関名
京都大学
授与年月日
平成8年3月23日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
乙第9185号
学位
博士 (工学)