博士論文
書影書影

GaAsの液晶エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究

博士論文を表すアイコン
表紙は所蔵館によって異なることがあります ヘルプページへのリンク

GaAsの液晶エピタキシャル成長と静電誘導デバイスへの応用に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-96-H86
国立国会図書館書誌ID
000000296356
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3111331
資料種別
博士論文
著者
神谷俊幸 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
静岡大学,博士 (工学)
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

博士論文

書店で探す

障害者向け資料で読む

目次

  • 目次

    p4

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 静電誘導デバイス

    p1

  • 1.2 液相エピタキシー

    p13

  • 1.3 本研究の目的と各章の概要

    p14

障害者向け資料で読む

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
GaAs ノ エキショウ エピタキシャル セイチョウ ト セイデン ユウドウ デバイス エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
神谷俊幸 [著]
著者標目
神谷, 俊幸 カミヤ, トシユキ
授与機関名
静岡大学
授与年月日
平成8年3月23日
授与年月日(W3CDTF)
1996
報告番号
甲第141号
学位
博士 (工学)