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Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors

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国立国会図書館デジタルコレクション

Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors

国立国会図書館請求記号
UT51-96-J456
国立国会図書館書誌ID
000000297277
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3112085
資料種別
博士論文
著者
山幡章司 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
北海道大学,博士 (理学)
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目次

  • CONTENTS

  • Chapter1 Introduction

    p1

  • 1-1.Background of ion implantation

    p1

  • 1-2.Background of AlGaAs/GaAs heterostructure

    p3

  • 1-3.Objective

    p4

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書誌情報

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紙 デジタル

資料種別
博士論文
タイトル
Study of ion-implantations into Al[x]Ga[1-x]As and its applications to heterojunction bipolar transistors
著者・編者
山幡章司 [著]
著者標目
山幡, 章司 ヤマハタ, ショウジ
並列タイトル等
Al[x]Ga[1-x]As中へのイオン注入及びヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究 AlxGa1-xAsチュウ エ ノ イオン チュウニュウ オヨビ ヘテロ セツゴウ バイポーラ トランジスタ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
北海道大学
授与年月日
平成8年3月25日
授与年月日（W3CDTF）
1996
報告番号
乙第4896号
学位
博士 (理学)