Silicon surface modification by gas source molecular beam and application to heteroepitaxial growth of cubic silicon carbide
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
論文目録
Contents
p5
Abstract
p1
Acknowledgments
p3
1.Introduction
p1
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 畑山智亮 [著]
- 著者標目
- 畑山, 智亮 ハタヤマ, トモアキ
- 並列タイトル等
- ガスソース分子線によるシリコン表面改質と立方晶シリコンカーバイドのヘテロエピタキシャル成長への応用 ガス ソース ブンシセン ニ ヨル シリコン ヒョウメン カイシツ ト リッポウショウ シリコン カーバイド ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ エ ノ オウヨウ
- 授与機関名
- 京都大学
- 授与年月日
- 平成9年9月24日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1997
- 報告番号
- 甲第7010号
- 学位
- 博士 (工学)