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低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

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低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

国立国会図書館請求記号
UT51-99-H330
国立国会図書館書誌ID
000000335240
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3150049
資料種別
博士論文
著者
進藤亘 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東北大学,博士(工学)
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目次

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 固体電子工学の発展

    p1

  • 1.2 結晶成長の低温化と低エネルギイオン照射プロセス

    p2

  • 1.3 インライン欠陥検査を用いた歩留り管理

    p4

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
テイエネルギ イオン ショウシャ オ モチイタ テイオン シリコン ハクマク ケイセイ プロセス ノ ケンキュウ
著者・編者
進藤亘 [著]
著者標目
進藤, 亘 シンドウ, ワタル
授与機関名
東北大学
授与年月日
平成11年3月25日
授与年月日(W3CDTF)
1999
報告番号
甲第6907号
学位
博士(工学)