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Emission mechanism in quantum wel structures composed of GaN-based semiconductors

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Emission mechanism in quantum wel structures composed of GaN-based semiconductors

国立国会図書館請求記号
UT51-2000-F282
国立国会図書館書誌ID
000000352523
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3167331
資料種別
博士論文
著者
成川幸男 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
京都大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • Contents

    p1

  • Acknowledgements

  • Contents

    p1

  • 1 Introduction

    p1

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
成川幸男 [著]
著者標目
成川, 幸男 ナルカワ, ユキオ
並列タイトル等
GaN系半導体量子井戸構造の発光機構に関する研究 GaNケイ ハンドウタイ リョウシ イド コウゾウ ノ ハッコウ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
京都大学
授与年月日
平成12年3月23日
授与年月日(W3CDTF)
2000
報告番号
甲第8378号
学位
博士 (工学)