超LSIレジストの分子設計 (表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)
超LSIレジストの分子設計
(表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)
- 国立国会図書館請求記号
- PA441-E53
- 国立国会図書館書誌ID
- 000002039115
資料に関する注記
一般注記：
- 叢書の編者: 日本表面科学会
資料詳細
要約等：
- 超LSIをつくるためのレジストの分子設計について、誰にでもわかりやすいよう、豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。（提供元: 出版情報登録センター（JPRO））
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目次
序章 なぜ，レジストの研究をするのか？
第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
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関東
千葉県立西部図書館
紙- 請求記号：
- 5497/ 57/
- 図書登録番号：
- 1100825741
東京都立中央図書館
紙- 請求記号：
- 5491-3043-90
- 図書登録番号：
- 1123992947
神奈川県立川崎図書館
紙- 請求記号：
- 549.7-2
- 図書登録番号：
- 80140130
横浜市立図書館
紙- 請求記号：
- 578.470
- 図書登録番号：
- 0003242900
東海・北陸
岐阜県図書館
紙- 請求記号：
- 549.8-ツ
- 図書登録番号：
- 8120293480
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書誌情報
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- 資料種別
- 図書
- ISBN
- 4-320-08511-6
- タイトル
- タイトルよみ
- チョウ エルエスアイ レジスト ノ ブンシ セッケイ
- 著者・編者
- 津田穣 著
- シリーズタイトル
- 著者標目
- 津田, 穣, 1935- ツダ, ミノル, 1935- ( 00108488 )典拠
- 出版事項
- 出版年月日等
- 1990.4
- 出版年（W3CDTF）
- 1990