SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究

SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究

国立国会図書館請求記号: UT51-2003-T565
国立国会図書館書誌ID: 000004286108

資料種別: 博士論文

著者: 安部功二 [著]

出版者: [安部功二]

出版年: 2003

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 1冊

授与大学名・学位: 名古屋工業大学,博士 (工学)

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一般注記：: 博士論文

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書誌情報

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紙

資料種別: 博士論文
タイトル: SiC半導体素子化技術に関する基礎的研究
タイトルよみ: SiC ハンドウタイソシカギジュツニカンスルキソテキケンキュウ
著者・編者: 安部功二 [著]
著者標目: 安部, 功二アベ, コウジ
出版事項: [安部功二]
出版年月日等: 2003
出版年（W3CDTF）: 2003
数量: 1冊
授与機関名: 名古屋工業大学
授与年月日: 平成15年9月24日
授与年月日（W3CDTF）: 2003
報告番号: 乙第201号
学位: 博士 (工学)
学位論文注記: 博士論文
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: UT51
一般注記: 博士論文
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: UT51-2003-T565
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000004286108
http://id.ndl.go.jp/bib/000004286108
整理区分コード: 213

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