In situ x-ray diffraction study of CoSi2 formation during annealing of a Co/Ti bilayer on Si*(100) ANL/MSD/PP-84782 DE95 012213

In situ x-ray diffraction study of CoSi2 formation during annealing of a Co/Ti bilayer on Si*(100)

ANL/MSD/PP-84782 DE95 012213

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: In situ x-ray diffraction study of CoSi2 formation during annealing of a Co/Ti bilayer on Si*(100)
著者・編者: Selinder, T. I
Roberts, T. A
Miller, D. J
Beno, M. A
Knapp, G. S
出版年月日等: 1995
出版年（W3CDTF）: 1995
数量: 15 p. (1 microfiche)
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : ANL/MSD/PP-84782
テクニカルリポート番号 : DE95 012213
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-DE95/012213
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000005523049
http://id.ndl.go.jp/bib/000005523049
整理区分コード: 291