招待講演 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 (シリコン材料・デバイス)

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招待講演 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023340734
資料種別
記事
著者
野平 博司ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-10
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(249):2011.10.20・21
掲載ページ
p.37-41
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
野平 博司
小松 新
那須 賢太郎 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Study of HfO₂/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(249):2011.10.20・21
掲載巻
111
掲載号
249