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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号112(33):2012.5.17･18
記事高温成長によるGaA...

高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 (電子部品・材料)

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高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上

(電子部品・材料)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023744190
資料種別
記事
著者
深見 太志ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-05
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(33):2012.5.17・18
掲載ページ
p.7-10
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書誌情報

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紙

資料種別
記事
タイトル
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上
著者・編者
深見 太志
浦上 法之
関口 寛人 他
シリーズタイトル
電子部品・材料
著者標目
深見 太志
浦上 法之
関口 寛人
並列タイトル等
Improvement in crystalline quality of GaAsN alloy by high temperature growth
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
112(33):2012.5.17・18
掲載巻
112
掲載号
33