10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 (集積回路)

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10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023936531
資料種別
記事
著者
太田 健介ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(170):2012.8.2・3
掲載ページ
p.37-42
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
太田 健介
齋藤 真澄
田中 千加 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
10nm-Diameter Tri-Gate Silicon Nanowire MOSFETs with Enhanced High-Field Transport and Vth Tunability through Thin BOX
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(170):2012.8.2・3
掲載巻
112
掲載号
170