書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 宇治田 信二森田 竜夫梅田 英和 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters
- タイトル(掲載誌)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 112(381):2013.1.17・18
- 掲載巻
- 112
- 掲載号
- 381