直並列FET構成を用いた60GHz帯90nm Si-CMOS高耐電力T/Rスイッチ (マイクロ波)

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直並列FET構成を用いた60GHz帯90nm Si-CMOS高耐電力T/Rスイッチ

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024679685
資料種別
記事
著者
谷藤 正一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-06
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(110):2013.6.27・28
掲載ページ
p.59-64
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
谷藤 正一
亀田 卓
末松 憲治 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
High Power Handling 60GHz Transmit/Receive Switch Using Series/Shunt FETs in 90nm Si-CMOS Process
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(110):2013.6.27・28
掲載巻
113
掲載号
110