招待講演 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 (集積回路)

招待講演 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術

(集積回路)

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資料種別: 記事
タイトル: 招待講演 10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術
著者・編者: 昌原明植
遠藤和彦
大内真一他
シリーズタイトル: 集積回路
著者標目: 昌原明植
遠藤和彦
大内真一
並列タイトル等: Multigate FinFET Device and Circuit Technology for 10nm and Beyond
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 114(13):2014.4.17・18
掲載巻: 114
掲載号: 13
掲載ページ: 77-82
掲載年月日（W3CDTF）: 2014-04
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: FinFET
ばらつき
非晶質金属ゲート
SRAM
独立ダブルゲート
Variability
Amorphous Metal Gate
Independent Double Gate
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ICD2014-15
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 025447934
http://id.ndl.go.jp/bib/025447934
整理区分コード: 632