雑誌 電子資料日本結晶成長学会誌
Ga-Alフラックス...

Ga-Alフラックスを用いた液相成長法によるAlN膜成長 (特集 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)

記事を表すアイコン

Ga-Alフラックスを用いた液相成長法によるAlN膜成長(特集 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)

国立国会図書館請求記号
YH247-1397
国立国会図書館書誌ID
025866215
資料種別
記事
著者
福山 博之ほか
出版者
東京 : 日本結晶成長学会
出版年
2014
資料形態
記録メディア
掲載誌名
日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 41(3):2014
掲載ページ
p.124-130
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

記録メディア デジタル

資料種別
記事
著者・編者
福山 博之
安達 正芳
並列タイトル等
Liquid Phase Epitaxial Growth of AlN Films using Ga-Al Fluxes
タイトル(掲載誌)
日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等(掲載誌)
41(3):2014
掲載巻
41
掲載号
3