絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 (電子部品・材料)

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絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討

(電子部品・材料)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
027374986
資料種別
記事
著者
近藤 佑隆ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2016-05
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(49):2016.5.19・20
掲載ページ
p.19-23
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
近藤 佑隆
篠原 正俊
彦坂 朋輝
馬場 真人
岡田 浩
関口 寛人
山根 啓輔
若原 昭浩
シリーズタイトル
並列タイトル等
Investigation of interface formation process between insulator and nitride-semiconductor for insulated gate transistors
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
116(49):2016.5.19・20
掲載巻
116
掲載号
49