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ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上 (特集 半導体エレクトロニクス)

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ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上(特集 半導体エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z14-267
国立国会図書館書誌ID
027656046
資料種別
記事
著者
道浦 大祐ほか
出版者
京都 : 日本材料学会
出版年
2016-09
資料形態
掲載誌名
材料 / 日本材料学会 [編] 65(9):2016.9
掲載ページ
p.652-655
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
道浦 大祐
中原 佳夫
宇野 和行
田中 一郎
並列タイトル等
Improving the Carrier Mobility of Pentacene Thin Film Transistors by Surface Treatment of Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers
タイトル(掲載誌)
材料 / 日本材料学会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
65(9):2016.9
掲載巻
65
掲載号
9