HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術

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資料種別: 記事
タイトル: HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術
著者・編者: 熊谷義直
村上尚
倉又朗人
東脇正高
著者標目: 熊谷義直
村上尚
倉又朗人
東脇正高
並列タイトル等: Growth of high-quality β-Ga₂O₃ homoepitaxial layers by halide vapor phase epitaxy
タイトル（掲載誌）: 応用物理
巻号年月日等（掲載誌）: 86(2)=972:2017.2
掲載巻: 86
掲載号: 2
掲載通号: 972
掲載ページ: 107-111
掲載年月日（W3CDTF）: 2017-02
ISSN（掲載誌）: 0369-8009
ISSN-L（掲載誌）: 0369-8009
出版事項（掲載誌）: 東京 : 応用物理学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM17
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z15-243
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 027997872
http://id.ndl.go.jp/bib/027997872
整理区分コード: 632