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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号118(291):2018.11.8・9
記事招待講演 急峻なSS...

招待講演 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 (シリコン材料・デバイス)

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招待講演 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
029386402
資料種別
記事
著者
百瀬 駿ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2018-11
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(291):2018.11.8・9
掲載ページ
p.59-64
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紙

資料種別
記事
タイトル
招待講演 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
著者・編者
百瀬 駿
井田 次郎
山田 拓弥
森 貴之
伊東 健治
石橋 孝一郎
新井 康夫
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス
著者標目
百瀬 駿
井田 次郎
山田 拓弥
森 貴之
伊東 健治
石橋 孝一郎
新井 康夫
並列タイトル等
Characteristics and Ultralow Voltage Rectification Experiment on MOS Diode connection using Super Steep SS PN-Body Tied SOI-FET
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
118(291):2018.11.8・9
掲載巻
118
掲載号
291