窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み (シリコン材料・デバイス)

記事を表すアイコン

窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
029722483
資料種別
記事
著者
岡田 浩ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2019-05
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(36):2019.5.16・17
掲載ページ
p.77-80
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
岡田 浩
横山 太一
三輪 清允
山根 啓輔
若原 昭浩
関口 寛人
シリーズタイトル
並列タイトル等
Study of Fabrication Process for Nitride-based Semiconductor Integrated Circuits : Threshold voltage control by Si-ion implantation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
119(36):2019.5.16・17
掲載巻
119
掲載号
36