低インダクタンスを実...

低インダクタンスを実現する厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの主回路設計

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低インダクタンスを実現する厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの主回路設計

国立国会図書館請求記号
Z16-1608
国立国会図書館書誌ID
030243877
資料種別
記事
著者
石川 光亮ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2020-02
資料形態
掲載誌名
電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = IEEJ transactions on industry applications 140(2):2020.2
掲載ページ
p.89-98
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
石川 光亮
小笠原 悟司
竹本 真紹
折川 幸司
並列タイトル等
Design of Main Circuit for an SiC-MOSFET Inverter Using a Thick Copper Multilayer PCB to Minimize Stray Inductance
タイトル(掲載誌)
電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = IEEJ transactions on industry applications
巻号年月日等(掲載誌)
140(2):2020.2
掲載巻
140
掲載号
2
掲載ページ
89-98