オン時帰還容量低減と...

オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT (電子デバイス 半導体電力交換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT

(電子デバイス 半導体電力交換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

国立国会図書館請求記号
Z43-243
国立国会図書館書誌ID
031280618
資料種別
記事
著者
曽根田 真也ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2020-12-22
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2020(215-226):2020.12.22
掲載ページ
p.45-49
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
曽根田 真也
新田 哲也
古川 彰彦
並列タイトル等
1200V RC-IGBT with Suppressed Dynamic Cres and Partial Lifetime Control
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2020(215-226):2020.12.22
掲載巻
2020
掲載号
215-226