ワイドギャップ半導体...

ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発 (特集 産業材料としてのダイヤモンド)

記事を表すアイコン

ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発

(特集 産業材料としてのダイヤモンド)

国立国会図書館請求記号
Z17-66
国立国会図書館書誌ID
10267836
資料種別
記事
著者
平間 一行ほか
出版者
大阪 : 大阪工研協会
出版年
2009-04
資料形態
掲載誌名
科学と工業 = Science and industry / 科学と工業編集委員会 編 83(4) 2009.4
掲載ページ
p.149~156
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
平間 一行
川原田 洋
並列タイトル等
Development of RF high-power MOSFETs based on wide-gap semiconductor diamond
タイトル(掲載誌)
科学と工業 = Science and industry / 科学と工業編集委員会 編
巻号年月日等(掲載誌)
83(4) 2009.4
掲載巻
83
掲載号
4