ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 (シリコン材料・デバイス)

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ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10274890
資料種別
記事
著者
加藤 公彦ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-06-19
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(87) 2009.6.19
掲載ページ
p.39~44
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
加藤 公彦
近藤 博基
坂下 満男 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Control of interfacial structure of high-k/Ge gate stack using radical nitridation
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(87) 2009.6.19
掲載巻
109
掲載号
87