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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号111(184) 2011.8.25・26
記事半導体直接融着による...

半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (電子部品・材料)

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半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ

(電子部品・材料)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11239211
資料種別
記事
著者
田辺 克明ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-08
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(184) 2011.8.25・26
掲載ページ
p.53～58
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書誌情報

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紙

資料種別
記事
タイトル
半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ
著者・編者
田辺 克明
渡邉 克之
荒川 泰彦
シリーズタイトル
電子部品・材料
著者標目
田辺 克明
渡邉 克之
荒川 泰彦
並列タイトル等
1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers on Si substrates by direct semiconductor bonding
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
111(184) 2011.8.25・26
掲載巻
111
掲載号
184