原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作

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原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
5482672
資料種別
記事
著者
朴 起台ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2000-08-25
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100(270) 2000.8.25
掲載ページ
p.57~63
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
朴 起台
裴 志哲
高 光旭 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
100(270) 2000.8.25
掲載巻
100
掲載号
270
掲載ページ
57~63
掲載年月日(W3CDTF)
2000-08-25