Effect of Barrier Thickness on the Interface and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

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Effect of Barrier Thickness on the Interface and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5798300
資料種別
記事
著者
Dong-Joon Kimほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2001-05
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 40(5A) (通号 539) 2001.5
掲載ページ
p.3085~3088
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資料詳細

要約等:

We investigated the effect of barrier thickness on the interfacial and optical properties of the InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown in a lo...

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Dong-Joon Kim
Yong-Tae Moon
Keun-Man Song 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
40(5A) (通号 539) 2001.5
掲載巻
40
掲載号
5A
掲載通号
539
掲載ページ
3085~3088