水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET (ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集 ; 招待論文)

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水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET

(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集 ; 招待論文)

国立国会図書館請求記号
Z16-607
国立国会図書館書誌ID
6534952
資料種別
記事
著者
梅沢 仁ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
出版年
2003-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 86(4) (通号 424) 2003.4
掲載ページ
p.419~425
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
梅沢 仁
石坂 博明
宮本 真吾 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
86(4) (通号 424) 2003.4
掲載巻
86
掲載号
4
掲載通号
424