1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証 (特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

記事を表すアイコン

1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証

(特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
7069277
資料種別
記事
著者
有賀 麻衣子ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2004-07-02
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(162) 2004.7.2
掲載ページ
p.15~18
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
有賀 麻衣子
荒井 昌和
C. Setiagung 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
104(162) 2004.7.2
掲載巻
104
掲載号
162
掲載ページ
15~18