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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号104(315)-104(327) 20040900-20041000
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p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化 (特集:プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化

(特集:プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
7121705
資料種別
記事
著者
金野 幸吉ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2004-09-27
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104(323) 2004.9.27
掲載ページ
p.1～4
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書誌情報

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紙

資料種別
記事
タイトル
p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化
著者・編者
金野 幸吉
松島 理
原 清仁 他
シリーズタイトル
特集:プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般
著者標目
金野 幸吉
松島 理
原 清仁
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
104(323) 2004.9.27
掲載巻
104
掲載号
323
掲載ページ
1～4