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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 44(4B)(611);APRIL 2005
記事Low-Temper...

Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (x: 0-1) on SiO2 by Au-Mediated Lateral Crystallization (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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CiNii Research

Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (x: 0-1) on SiO2 by Au-Mediated Lateral Crystallization(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
7306419
資料種別
記事
著者
Hiroshi Kannoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2005-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 44(4B) (通号 611) (Special Issue) 2005.4
掲載ページ
p.2405～2408
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資料詳細

要約等：

The Au-mediated low-temperature (400°C) crystallization of amorphous-Si<SUB>1−<I>x</I></SUB>Ge<I><SUB>x</SUB></I> (<I>x</I>: 0–1) on SiO<SUB>2</SUB> h...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (x: 0-1) on SiO2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
著者・編者
Hiroshi Kanno
Tomohisa Aoki
Atsushi Kenjo 他
シリーズタイトル
Special Issue: Solid State Devices & Materials
著者標目
Hiroshi Kanno
Tomohisa Aoki
Atsushi Kenjo
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
44(4B) (通号 611) (Special Issue) 2005.4
掲載巻
44
掲載号
4B
掲載通号
611