薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET (窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?)

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薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET

(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
7699561
資料種別
記事
著者
東脇 正高ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2005-10-13
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105(329) 2005.10.13
掲載ページ
p.93~96
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
東脇 正高
小野島 紀夫
松井 敏明
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
105(329) 2005.10.13
掲載巻
105
掲載号
329
掲載ページ
93~96