研究紹介 レーザーア...

研究紹介 レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線--酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング

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研究紹介 レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線--酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
8560100
資料種別
記事
著者
深田 直樹
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2006-12
資料形態
掲載誌名
応用物理 75(12) 2006.12
掲載ページ
p.1481~1486
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
深田 直樹
著者標目
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
75(12) 2006.12
掲載巻
75
掲載号
12
掲載ページ
1481~1486
掲載年月日(W3CDTF)
2006-12